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ADuM4221CRIZ-RL ADI(亚德诺) 隔离式半桥栅极驱动器，具有可调死区时间和4A输出
ADuM4221是一款4 A隔离式半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，提供独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221在爬电距离增加的宽体16引脚SOIC_IC封装中提供5700 V rms的隔离。这些隔离组件结合了高速CMOS和单片变压器技术，具有优于其他替代方案（如脉冲变压器和栅极驱动器组合）的出色性能特性。 这些隔离器的逻辑输入电压范围为2.5 V至6.5 V，可与低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221的优势在于输入与每个输出之间实现了真正的电流隔离。 ADuM4221内置重叠保护，并允许进行死区时间调整。更多 +
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ADuM4221CRIZ ADI(亚德诺) 隔离式半桥栅极驱动器，具有可调死区时间和4A输出
ADuM4221是一款4 A隔离式半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，提供独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221在爬电距离增加的宽体16引脚SOIC_IC封装中提供5700 V rms的隔离。这些隔离组件结合了高速CMOS和单片变压器技术，具有优于其他替代方案（如脉冲变压器和栅极驱动器组合）的出色性能特性。 这些隔离器的逻辑输入电压范围为2.5 V至6.5 V，可与低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221的优势在于输入与每个输出之间实现了真正的电流隔离。 ADuM4221内置重叠保护，并允许进行死区时间调整。更多 +
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ADUM4221BRIZ ADI(亚德诺) 隔离式半桥栅极驱动器，具有可调死区时间和4A输出
ADuM4221是一款4 A隔离式半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，提供独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221在爬电距离增加的宽体16引脚SOIC_IC封装中提供5700 V rms的隔离。这些隔离组件结合了高速CMOS和单片变压器技术，具有优于其他替代方案（如脉冲变压器和栅极驱动器组合）的出色性能特性。 这些隔离器的逻辑输入电压范围为2.5 V至6.5 V，可与低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221的优势在于输入与每个输出之间实现了真正的电流隔离。 ADuM4221内置重叠保护，并允许进行死区时间调整。更多 +
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ADuM4221ARIZ ADI(亚德诺) 隔离式半桥栅极驱动器，具有可调死区时间和4A输出
ADuM4221是一款4 A隔离式半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，提供独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221在爬电距离增加的宽体16引脚SOIC_IC封装中提供5700 V rms的隔离。这些隔离组件结合了高速CMOS和单片变压器技术，具有优于其他替代方案（如脉冲变压器和栅极驱动器组合）的出色性能特性。 这些隔离器的逻辑输入电压范围为2.5 V至6.5 V，可与低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221的优势在于输入与每个输出之间实现了真正的电流隔离。 ADuM4221内置重叠保护，并允许进行死区时间调整。更多 +
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ADuM4221-2CRIZ ADI(亚德诺) 隔离式半桥栅极驱动器，可调死区时间，4A输出
ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2是4A隔离式半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，提供独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2在爬电距离增加的宽体16引脚SOIC_IC封装中提供5700V rms的隔离。这些隔离组件结合了高速CMOS和单片变压器技术，其性能特性优于其他替代方案，如脉冲变压器和栅极驱动器的组合。 这些隔离器的逻辑输入电压范围为2.5V至6.5V，与低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2的优势在于输入和每个输出之间实现了真正的电流隔离。更多 +
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ADUM4221-2BRIZ ADI(亚德诺) 隔离式半桥栅极驱动器，可调死区时间，4A输出
ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2是4A隔离式半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，提供独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2在爬电距离增加的宽体16引脚SOIC_IC封装中提供5700V rms的隔离。这些隔离组件结合了高速CMOS和单片变压器技术，其性能特性优于其他替代方案，如脉冲变压器和栅极驱动器的组合。 这些隔离器的逻辑输入电压范围为2.5V至6.5V，与低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2的优势在于输入和每个输出之间实现了真正的电流隔离。更多 +
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ADuM4221-2ARIZ ADI(亚德诺) 隔离式半桥栅极驱动器，可调死区时间，4A输出
ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2是4A隔离式半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，提供独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2在爬电距离增加的宽体16引脚SOIC_IC封装中提供5700V rms的隔离。这些隔离组件结合了高速CMOS和单片变压器技术，其性能特性优于其他替代方案，如脉冲变压器和栅极驱动器的组合。 这些隔离器的逻辑输入电压范围为2.5V至6.5V，与低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2的优势在于输入和每个输出之间实现了真正的电流隔离。更多 +
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ADuM4221-1CRIZ ADI(亚德诺) 隔离式半桥栅极驱动器，可调死区时间，4A输出
ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2是4A隔离式半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，提供独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2在爬电距离增加的宽体16引脚SOIC_IC封装中提供5700V rms的隔离。这些隔离组件结合了高速CMOS和单片变压器技术，其性能特性优于其他替代方案，如脉冲变压器和栅极驱动器的组合。 这些隔离器的逻辑输入电压范围为2.5V至6.5V，与低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2的优势在于输入和每个输出之间实现了真正的电流隔离。更多 +
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ADuM4221-1BRIZ ADI(亚德诺) 隔离式半桥栅极驱动器，可调死区时间，4A输出
ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2是4A隔离式半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，提供独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2在爬电距离增加的宽体16引脚SOIC_IC封装中提供5700V rms的隔离。这些隔离组件结合了高速CMOS和单片变压器技术，其性能特性优于其他替代方案，如脉冲变压器和栅极驱动器的组合。 这些隔离器的逻辑输入电压范围为2.5V至6.5V，与低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2的优势在于输入和每个输出之间实现了真正的电流隔离。更多 +
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ADUM4221-1ARIZ ADI(亚德诺) 隔离式半桥栅极驱动器，可调死区时间，4A输出
ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2是4A隔离式半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，提供独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2在爬电距离增加的宽体16引脚SOIC_IC封装中提供5700V rms的隔离。这些隔离组件结合了高速CMOS和单片变压器技术，其性能特性优于其他替代方案，如脉冲变压器和栅极驱动器的组合。 这些隔离器的逻辑输入电压范围为2.5V至6.5V，与低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221/ADuM4221 - 1/ADuM4221 - 2的优势在于输入和每个输出之间实现了真正的电流隔离。更多 +
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UCC12050DVE TI(德州仪器) 高密度、低EMI、5kVRMs Reinforced隔离式直流/直流模块
UCC12050是一款具有5kVRMS reinforced隔离额定值的汽车级直流/直流电源模块，旨在为需要偏置电源及稳压输出电压的隔离电路提供有效的隔离电源。该器件集成了具有专有架构的变压器和直流/直流控制器，可提供500mW（典型值）的隔离功率，并具有低EMI。 UCC12050集成了保护功能以增强系统稳健性。该器件还具有使能引脚、同步功能以及5V或3.3V稳压输出选项（带净空电压）。UCC12050是一种薄型、小型化解决方案，采用高度为2.65mm（典型值）的宽体SOIC封装。更多 +
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GDQ3BFAM-WJ GD(兆易创新) DDR4 SDRAM（同步动态随机存储器）
电SPI（串行外设接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存内核，为嵌入式系提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它具有先进的功能，是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的极具吸引的替代方案。其特点包括：总引脚数为8，包含VCC和GND；密度为1Gb；与SPI-NOR相比，具有卓越入性能和更低的每比特成本；成本显著低于并行NAND。这种低引脚数NAND闪存遵循行业标准的串行外设接口，并且从种密度到另一种密度的引脚排列始终保持一致。其命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理特定于NAND的功能并添加了新特性。更多 +
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GD5F2GQ5UEYIGR GD(兆易创新) SPI NOR Flash（非易失性闪存）
SPI（串行外设接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存内核，为嵌入式系统了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它是一种极具吸引力的替代方案，可替代SPI-NOR和标准并行NAND闪存，并具先进的特性。 总引脚数为8，包括VCC和GND容量2Gb与SPI-NOR相比，具有的写入性能和更低的每比特成本与并行NAND相比，成本显著更低这种低引脚数的NAND闪存遵循行业准的串行外设接口，并且从一种容量到另一种容量，其引脚排列始终保持一致。其命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理特定NAND的功能并添加了新特性。更多 +
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GD5F1GQ5UEYIGR GD(兆易创新) NAND Flash芯片
电SPI（串行外设接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存内核，为嵌入式系提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它具有先进的功能，是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的极具吸引的替代方案。其特点包括：总引脚数为8，包含VCC和GND；密度为1Gb；与SPI-NOR相比，具有卓越入性能和更低的每比特成本；成本显著低于并行NAND。这种低引脚数NAND闪存遵循行业标准的串行外设接口，并且从种密度到另一种密度的引脚排列始终保持一致。其命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理特定于NAND的功能并添加了新特性。更多 +
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ADuM1201BRZ ADI(亚德诺) 双通道数字隔离器
ADuM1200/ADuM12011是基于Analog Devices, Inc.的iCoupler?技术的双数字隔离器。这些隔离器件结合了高速CMOS技术和单片变压器技术，提供了优于光耦合器等替代方案的卓越性能特性。通过避免使D和光电二极管，iCoupler器件消除了与光耦合器相关的常见设计难题。iCoupler简单的数字接口和稳定的性能特性消除了光耦合器通存在的电流传输比不确定、传输函数非线性以及温度和寿命影响等问题。这些iCoupler产品消除了对外部驱动器和其他分立元件的需求。此，在相当的信号数据速率下，iCoupler器件的功耗仅为光耦合器的十分之一到六分之一。更多 +
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DP83822IRHBR TI(德州仪器) 低功耗耐用型10/100Mbps以太网物理层收发器
DP83822 是一款超稳健、低功耗单端口 10/100Mbps 以太网 PHY，是苛刻工业环境的理想之选。它提供通过标准双绞线电缆发送和接收数据或者连接到外部光纤收发器所需的所有物理层功能。此外，DP83822 还可通过标准 MII、RMII 或 RGMII 接口灵活地连接到 MAC。 为了便于使用，DP83822 提供了集成电缆诊断工具、内置自检和环回功能。它能够凭借自身的快速下行链路检测和强制模式下的自动 MDIX 功能支持多条工业现场总线。 DP83822 提供了一种创新型可靠方案来降低功耗，具体将通过 EEE、WoL 和其他可编程节能模式来实现。更多 +
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W25N04KVZEIR FORESEE(江波龙) 3V 4Gb SLC QSPI NAND闪存，具备双/四路SPI缓冲读取
W25N04KV（4G位）SLC QspiNAND闪存为系统提供了在空间、引受限条件下的存储解决方案。W25N QspiNAND系列融合了流行的SPI接口和传统的大型NAND非易失性存储空间。它们非常将代码映射到RAM、直接从双/四SPI（XIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该器件采用单一2.7V至36V电源供电，工作电流低至25mA，待机电流10μA，深度掉电模式电流1μA。所有W25N QspiND系列器件均采用节省空间的封装，而这种封装在过去对于典型的NAND闪存是无法使用的。W25N04KV的G位存储阵列由262,144个可编程页组成，每页2,048字节。整个页可以使用2,048字节的部缓冲区数据一次性编程。更多 +
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MT29F2G01ABAGDWB-IT:G Micron(镁光) 2Gb、3.3V、x1/x2/x4接口：SPI NAND闪
串行外设接口（SPI）NAND是一种SLC NAND闪存器件，为必须将引脚数量降至最低的应用提了一种经济高效的非易失性存储解决方案。它也是SPI NOR的替代方案，与SPI NOR相比，它提供了更优的写入性能和更低的每比特本。硬件接口创建了一种引脚数量较少的器件，其标准引脚排列在不同容量之间保持一致，并支持在无需重新设计电路板的情况下升级高容量。串行电气接口遵循行业标准的串行外设接口。为SPI操作定义了新的命令协议和寄存器。命令集类似于常见的SPI-NO令集，经过修改以处理特定于NAND的功能和额外的新特性。新特性包括用户可选的内部ECC和上电时的首页自动加载。更多 +
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GD5F1GQ5UEYIGR GD(兆易创新) 1Gbit SPI NAND 3.3V
SPI（串行外设接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存内核，为嵌入式系统了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它具有先进的功能，是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的极具吸引力替代方案。其特点包括：总引脚数为8，包含VCC和GND；密度为1Gb；与SPI-NOR相比，具有更优的写性能和更低的每比特成本；成本显著低于并行NAND。这种低引脚数的NAND闪存遵循行业标准的串行外设接口，并且一种密度到另一种密度的引脚排列始终保持一致。其命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理特定于NAND的功能并添加了新特性。更多 +
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GD5F1GM7UEYIGR GD(兆易创新) SPI-NAND闪存
SPI（串行外设接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存内核，为嵌入式系提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它是一种极具吸引力的替代方案，相较于SPI-NOR和标准并行NAND闪具有先进特性。总引脚数为8，包括VCC和GND，容量为1Gb，写入性能和每比特成本优于SPI-NO成本显著低于并行NAND这种低引脚数的NAND闪存遵循行业标准的串行外设接口，并且从一种容量到另一种容量的引脚列始终保持一致。其命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理特定于NAND的功能并添加了新特性。更多 +
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