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    ADuM4221CRIZ ADI(亚德诺) 隔离式半桥栅极驱动器,具有可调死区时间和4A输出

    ADuM4221是一款4 A隔离式半桥栅极驱动器,采用iCoupler技术,提供独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221在爬电距离增加的宽体16引脚SOIC_IC封装中提供5700 V rms的隔离。这些隔离组件结合了高速CMOS和单片变压器技术,具有优于其他替代方案(如脉冲变压器和栅极驱动器组合)的出色性能特性。 这些隔离器的逻辑输入电压范围为2.5 V至6.5 V,可与低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比,ADuM4221的优势在于输入与每个输出之间实现了真正的电流隔离。 ADuM4221内置重叠保护,并允许进行死区时间调整。

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    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    ADuM4221是一款4 A隔离式半桥栅极驱动器,采用iCoupler技术,提供独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221在爬电距离增加的宽体16引脚SOIC_IC封装中提供5700 V rms的隔离。这些隔离组件结合了高速CMOS和单片变压器技术,具有优于其他替代方案(如脉冲变压器和栅极驱动器组合)的出色性能特性。 这些隔离器的逻辑输入电压范围为2.5 V至6.5 V,可与低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比,ADuM4221的优势在于输入与每个输出之间实现了真正的电流隔离。 ADuM4221内置重叠保护,并允许进行死区时间调整。通过在死区时间引脚(DT)和GND?引脚之间连接一个电阻,可设置次级侧高端和低端输出之间的死区时间。 如果ADuM4221的内部温度超过热关断(TSD)温度,内部热关断功能会将输出置为低电平。因此,ADuM4221能够在很宽的正或负开关电压范围内,对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)/金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)配置的开关特性进行可靠控制 

    2、产品特性

    4 A峰值电流(<2 欧姆 RDSON_x)

    2.5 V至6.5 V逻辑输入电压

    4.5 V至35 V输出电源电压

    UVLO VDD1正向阈值:最大2.5 V

    VDDA和VDDB正向阈值的多种UVLO选项 A级:最大4.5 V;B级:最大7.5 V;C级:最大11.6 V

    精确的时序特性 最大传播延迟44 ns

    可调死区时间

    CMOS输入逻辑电平

    高共模瞬态抗扰度:150 kV/μs

    高结温工作:125℃

    默认低电平输出

    安全和法规认证(待审批) 符合UL 1577标准,5700 V rms持续1分钟的UL认证;CSA组件验收通知5A(待审批);VDE合格证书(待审批);DIN V VDE V 0884 - 11 V??RM = 849 V峰值

    爬电距离增加的宽体16引脚SOIC_IC

    3、应用

    开关电源

    隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动

    工业逆变器

    氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)兼容


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

       ADI(亚德诺)

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    ADUM4221CRIZ

    产品封装:

    SOIC-16-300mil

    标准包装:

    37个/管

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

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